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7代IGBT型號推薦：新潔能 NCE100ED65VTP(650V/100A)和英飛凌IGBT IKW75N65ET7XKSA1

發布時間：2024-07-18 品牌：新潔能(NCE) 瀏覽量：1793

IGBT 功率器件經歷了七代升級：襯底從 PT 穿通，NPT 非穿通到 FS 場 截止，柵極從平面到 Trench 溝槽，最后到目前的第七代的精細 Trench 溝槽。 基于微溝槽場截止技術，七代IGBT可大幅提高器件的元胞結構密度。采用載流子存儲設計、多梯度緩沖層設計、超薄漂移區設計，大幅度提升器件的電流密度。同時優化了器件的開關特性，為系統設計提供更大的余量。

以新潔能NCE40ED65VT~NCE160ED65VTP這十一款七代（Gen.7 ）大電流IGBT為例，在100℃標稱電流達到40A~160A。

來源自英飛凌官方微信公眾號的信息，英飛凌目前主推的在七代IGBT是20A（IKW20N65ET7XKSA1）~75（IKW75N65ET7XKSA1）的五款型號的。而國產IGBT品牌新潔能可以量產100A（NCE100ED65VTP4等）和160A的（NCE160ED65VTP等）的幾款產品。

新潔能（NCE） Gen.7 IGBT 系列產品為匹配不同應用需求，開發了不同參數特點的產品系列，今天要介紹的“V”系列產品具有較大的飽和電流和良好的導通損耗/開關損耗折中特性，非常適合光伏逆變、儲能、UPS 等應用。

以650V 40A(NCE40ED65VT)規格為例，該產品是一款650V、TO-247 封裝、100℃下額定電流 40A的產品。與常見的相近規格產品進行實測對比，詳細數據如下：

NCE40ED65VT大電流IGBT參數對比

從測試數據來看，NCE40ED65VT 的正向導通壓降和二極管續流壓降都具有優勢，無論是在正向導通還是續流時都具備更小的器件損耗，并且具備與同規格競品相近的開關損耗。關斷過程中 NCE40ED65VT 尖峰電壓 VCEpeak 較低，為實際應用提供更充分的有效電壓余 量。新潔能 Gen.7 IGBT 系列產品不但可以通過 JEDEC 標準中的常規可靠性項目，也可以通 過 HV-H3TRB 等更高要求的可靠性項目，滿足實際應用中同時具備高溫、高濕、高壓的嚴苛應用要求。 新潔能 Gen.7 IGBT “V”系列 650V 產品目前已量產 40A~200A 等多個電流規格產品， 由于 Gen.7 IGBT 芯片具備更高的電流密度，可以完成相同體積內更大電流的產品以及相同 電流更小的封裝體積。例如，650V 50A 產品可以封裝進 TO-263 封裝，650V 200A 的 TO-247Plus 封裝。同時大電流產品開發了具有開爾文引腳的 4L 封裝。

目前除了已量產的TO-247封裝外，新潔能7代大電流IGBT還可以提供TO-220/TO-220F/TO-263/TO-3P/TO-3PF等多種封裝。詳見下表：

新潔能7代大電流IGBT型號表

從官方網站和微信公眾號分享的信息看，新潔能IGBT和英飛凌IGBT品牌都具有較高的技術實力，下表整理了兩個品牌的幾款7代大電流IGBT型號推薦給您參考：

型號 封裝 Vces(V) IC(A)@100℃
NCE40ED65VT TO-247-3L 650 40
NCE50ED65VT TO-247-3L 50
NCE75ED65VT TO-247-3L 75
NCE75ED65VT4 TO-247-4L 75
NCE75ED65VTP TO-247P-3L 75
NCE100ED65VT TO-247-3L 100
NCE100ED65VTP TO-247P-3L 100
NCE100ED65VT4 TO-247-4L 100
NCE100ED65VTP4 TO-247P-4L 100
NCE160ED65VTP TO-247P-3L 160
NCE160ED65VTP4 TO-247P-4L 160
IKW20N65ET7XKSA1（SP005348286） TO-247 27.5
IKW30N65ET7XKSA1（SP005348289） TO-247 39.1
IKW40N65ET7XKSA1（SP005403468） TO-247 49.5
IKW50N65ET7XKSA1（SP005348292） TO-247 59.7
IKW75N65ET7XKSA1（SP005348294） TO-247 78.5