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新潔能國產N溝道溝槽型MOSFET NCE3050K選型資料/ 應用分析/MOS管最新價格

發布時間：2024-11-22 品牌：新潔能(NCE) 瀏覽量：441

N溝道溝槽型MOSFET是一種常見的功率MOSFET，通過采用先進的溝槽技術，實現了更低的導通損耗、更高的開關速度和更大的功率密度。之前的文章 - 新潔能12-200V N溝道溝槽型場效應管（N-Channel Trench MOSFET）系列產品介紹具體闡述了此類型MOSFET，今天南山電子給大家介紹該系列的一款新潔能國產N溝道溝槽型MOSFET NCE3050K，廣泛應用于電源開關、硬開關和高頻電路以及不間斷電源（UPS）等領域，具有非常好的使用穩定性。

NCE3050K主要參數:

漏源電壓（Vds）：30V
導通電阻（RDS（on））：＜11mΩ @ VGS=10V；＜16mΩ @ VGS=4.5V
連續漏極電流（Id）：50A
脈沖漏極電流（IDM）：200A
功率（Pd）：60W
工作溫度范圍：-55℃~+175℃
封裝形式：TO-252

NCE3050K特點：

高密度單元設計，實現超低Rdson：NCE3050K通過高密度單元設計實現了超低的導通電阻（Rdson），這使得其在電力開關應用中表現出色。
完整的雪崩電壓和電流特性分析：NCE3050K具有完全表征的雪崩電壓和電流特性，這意味著它能夠承受瞬間的高電壓沖擊，無需額外的保護電路。
良好的穩定性和均勻性，具有高EAS：NCE3050K展示了良好的穩定性和均勻性，并且具有較高的能量吸收能力（EAS），這使其在高頻和硬開關電路中表現優異。
優秀的封裝設計，散熱性能好：NCE3050K采用TO-252封裝，具有底部散熱片設計，能夠有效地將器件產生的熱量傳導到散熱面上，從而提高散熱效率，保證了其在高溫環境下的可靠性和穩定性。

NCE3050K應用：

電源開關應用：由于NCE3050K具有非常穩定、可靠、高性能的產品特性，具有驅動電路簡單、驅動功率小、開關速度快、工作頻率高等優點，非常適合用于各種功率開關電路中，也可以在電路中起到電壓電流調節作用。
硬開關和高頻電路：NCE3050K具有較低的導通電阻及低柵極電荷，這表明其在高頻工作條件下具有較低的開關損耗，優異的開關性能使其在硬開關和高頻電路中表現出色。
不間斷電源：NCE3050K的穩定性和均勻性使其成為不間斷電源系統中的理想選擇。其高密度單元設計和優秀的散熱性能也使其在高電流和高電壓環境下表現優異，這對于不間斷電源系統中的關鍵組件來說是非常重要的。此外，NCE3050K還經過了100%的UIS測試，確保了其在實際應用中的可靠性和穩定性。