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應用于高側開關的P溝道MOSFET：新潔能 NCE60P25K MOS管規格參數/免費樣品/最新價格
高側開關就是負載是接地的，開關相對于負載處于高電位。在實際應用中，NMOS作為高側開關雖然性能較好，但需要額外的柵極驅動IC，這使得電路復雜度和成本增加。相比之下，PMOS作為高側開關則更便于控制，對于開通速度、導通內阻、過電流能力無細致需求的場合，PMOS無疑是做開關的較好選擇。
近年來隨著MOS工藝的升級，PMOS的參數還是較NMOS差，但導通內阻<10m歐的PMOS型號越來越多了，今天就給大家推薦一款應用于高側開關的P溝道MOSFET：新潔能 NCE60P25K MOS管，作為PMOS管，其不用電荷泵驅動，簡單方便，還降低成本。
NCE60P25K做高側開關的電路:
下圖是NCE60P25K做高側開關的電路，CONTROL為控制信號，電平范圍為0~VCC。 CONTROL為0V時，Vgs<導通閥值，PMOS開通，負載工作。 CONTROL為VCC時，Vgs>導通閥值，PMOS關斷，負載停機。
注意上圖這里的輸入信號 CONTROL，其低電平要保證Vgs能使NCE60P25K開通；又要限制Vgs不能小于手冊上的最小允許電壓，以避免NCE60P25K損壞。
NCE60P25K主要參數:
- 漏源電壓（Vds）：-60V
- 導通電阻（RDS（on））：＜45mΩ @ VGS=-10V
- 柵極電壓（Vgs）：±20V
- 連續漏極電流（Id）：-25A
- 脈沖漏極電流（IDM）：-60A
- 功率（Pd）：90W
- 單脈沖雪崩能量（EAS）：300mJ
- 工作溫度范圍：-55℃~+150℃
NCE60P25K作為高側開關的應用優勢：
- 低導通電阻（RDS(ON)） ：NCE60P25K的導通電阻比較低，這意味著在開關過程中產生的功率損耗較小，從而提高了系統的整體能效。
- 高電流承載能力：NCE60P25K持續漏極電流（Id）為25A，表明它能解決較大的電流，適用高負載電子電路。
- 高密度電池設計和低柵極電荷：NCE60P25K采用高密度電池設計，進一步降低了導通電阻，并且具有較低的柵極電荷，這使得其在高側開關電路中更加高效。
- 良好的熱性能和封裝設計：NCE60P25K采用TO-252封裝，具有良好的散熱性能，這對于高側開關在長時間運行下的穩定性和可靠性至關重要。
- 適用于高壓環境：NCE60P25K的漏源電壓高達60V，使其能夠應對中高壓電子應用中的電壓需求。這種特性使其在汽車電子、工業控制等領域中具有廣泛的應用前景。
此外，NCE60P25K不僅適用于高側開關，還可以用于DC/DC轉換器、信號放大與處理電路等多種應用場景，非常適合高電流負載應用，在多種電子設計中表現出色，是一款多功能性和高性能的P溝道MOSFET。
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