新潔能(NCE)是一家國內領先的功率半導體企業,專注于MOSFET和IGBT等產品的研發和生產。公司產品線非常豐富,涵蓋了從低電壓到高電壓的各類MOSFET產品,包括N溝道、P溝道以及N+P溝道MOSFET。以下是新潔能授權代理商/經銷商-南山電子整理的新潔能12-150V P溝道MOSFET系列產品介紹, 并為該系列型號快速提供小批量樣品和最新價格報價,歡迎通過南山電子官網在線咨詢或致電400-888-5058。
12-150V P-Channel Trench MOSFET:
- 技術特點:采用先進的工藝制造技術、更優的工藝條件、精細優化的器件結構不斷優化產品導通電阻、開關特性、可靠性等并持續推進產品迭代,以豐富的產品系列、業內先進的參數性能與優異的可靠性成為行業標桿。
- 應用領域:廣泛應用于電機驅動、電池管理系統、負載開關、通信、消費電子等各個領域。
- 封裝形式:包括DFN1*1、DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-89、SOT-223、SOP-8、TO-251、TO-252、TO-220、TO-263、TOLL、TO-247等多種封裝形式。
12-150V P-Channel Trench MOSFET熱銷型號推薦 |
NCE2305A |
NCE30P15AS |
NCE60P09S |
NCE1216 |
NCE2333Y |
NCE30P16Q |
NCE60P09AS |
NCE30P15S |
NCE12P09S |
NCE30P20Q |
NCE60P10K |
NCE60P17AQ |
NCE2301C |
NCE30P25Q |
NCE60P12AS |
NCE3401BY |
NCE2301A |
NCE30P25S |
NCE60P12K |
NCE3401E |
30-100V P-Channel SGT-I MOSFET:
- 技術特點:P溝道增強型功率MOSFET在降低系統設計復雜度上擁有天然的優勢,獨特的柵極負壓開啟機制,使得P溝道功率MOSFET成為高端開關的理想選擇。P溝道功率MOSFET產品的選用可以簡化柵極驅動,往往可以降低系統的總成本,為設計人員提供了一種新的選擇。此外,P溝道功率MOSFET產品利用空穴作為載流子進行導電,其遷移率低于N溝道功率MOSFET中的載流子電子,同等情況下,P溝道功率MOSFET產品導電性能弱于N溝道功率MOSFET產品。新潔能基于SGT-I技術的-30~-100V P溝道功率產品提供超低的導通電阻(RDS(on)),為設計人員在簡化系統復雜度、降低系統總成本的前提下,進一步提高系統效率與性能。
- 應用領域:廣泛應用于電池保護、負載開關、電機控制及低壓驅動等領域。
- 封裝形式:包括TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6、SOP-8等多種封裝形式。
30-100V P-Channel SGT-I MOSFET熱銷型號推薦 |
NCEP30P90G |
NCEP50P80A |
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NCEP40PT30VD |
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NCEP01P40AGU |
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NCEP15P30AK |